2025年05月10日 |
第3時段 口頭報告(Oral) 112光霧廳 |
22-KN-001 |
電子器件界面/亞表面結(jié)構(gòu)/物理場表征 |
唐軍 |
13:30-13:50 |
關(guān)注 |
22-KN-002 |
基于碳納米管與憶阻器的單片三維集成技術(shù) |
唐建石 |
13:50-14:10 |
關(guān)注 |
22-KN-003 |
碳納米管材料及器件 在極端激光領(lǐng)域的應用研究進展 |
張紫辰 |
14:10-14:30 |
關(guān)注 |
22-KN-004 |
多功能融合介質(zhì)器件與射頻芯片研究進展 |
吳永樂 |
14:30-14:50 |
關(guān)注 |
22-KN-005 |
微系統(tǒng)及電子器件跨尺度建模仿真技術(shù)發(fā)展 |
胡小燕 |
14:50-15:10 |
關(guān)注 |
22-KN-006 |
金剛石異質(zhì)鍵合技術(shù)與應用 |
王鑫華 |
15:10-15:30 |
關(guān)注 |
第4時段 口頭報告(Oral) 112光霧廳 |
22-KN-007 |
金剛石半導體精密加工與電子學性能 |
劉金龍 |
15:40-16:00 |
關(guān)注 |
22-KN-008 |
碳基 NEMS 的耦合調(diào)控與器件應用 |
王新河 |
16:00-16:20 |
關(guān)注 |
22-KN-009 |
石墨烯光電集成技術(shù)研究進展 |
吳云 |
16:20-16:40 |
關(guān)注 |
22-KN-010 |
金剛石微波功率器件 |
蔚翠 |
16:40-17:00 |
關(guān)注 |
22-KN-011 |
碳納米管在新型顯示和新型邏輯器件中的應用 |
梁學磊 |
17:00-17:20 |
關(guān)注 |
22-KN-012 |
碳納米管射頻器件與電路 |
劉洪剛 |
17:20-17:40 |
關(guān)注 |
22-KN-013 |
碳基高性能生物電子系統(tǒng) |
胡又凡 |
17:40-18:00 |
關(guān)注 |
2025年05月11日 |
第1時段 口頭報告(Oral) 112光霧廳 |
22-KN-014 |
碳基量子器件的輸運研究 |
康寧 |
08:30-08:50 |
關(guān)注 |
22-I-001 |
Spin-polarized p-wave superconductivity in the kagome material RbV3Sb5 |
Ben-Chuan Lin |
08:50-09:00 |
關(guān)注 |
22-I-002 |
Indication of time reversal symmetry breaking superconductivity in Kagome CsV3Sb5 |
林效 |
09:00-09:10 |
關(guān)注 |
22-I-003 |
二維空穴氣量子器件的優(yōu)化與應用 |
裴天 |
09:10-09:20 |
關(guān)注 |
22-I-004 |
仿生量子智能感知器件 |
郭浩 |
09:20-09:30 |
關(guān)注 |
22-I-005 |
碳納米管電子器件研究進展與應用展望 |
楊揚 |
09:30-09:40 |
關(guān)注 |
22-I-006 |
新型石墨烯光電子器件與硅基集成 |
朱夢劍 |
09:40-09:50 |
關(guān)注 |
22-I-007 |
二維MoSi2N4和WSi2N4的CVD法控制制備與物性 |
徐川 |
09:50-10:00 |
關(guān)注 |
第2時段 口頭報告(Oral) 112光霧廳 |
22-KN-015 |
陣列碳納米管晶圓材料和器件的微結(jié)構(gòu)研究 |
金傳洪 |
10:10-10:30 |
關(guān)注 |
22-I-008 |
單壁碳納米管限域組裝化學 |
楊烽 |
10:30-10:40 |
關(guān)注 |
22-I-009 |
手性一致的密排碳納米管陣列 |
史志文 |
10:40-10:50 |
關(guān)注 |
22-I-010 |
過渡金屬碳化物插層化學及應用 |
梁坤 |
10:50-11:00 |
關(guān)注 |
22-I-011 |
基于二維鐵磁半導體中的非易失性器件 |
王喆 |
11:00-11:10 |
關(guān)注 |
22-I-012 |
Proximity-induced spin-triplet superconductivity at the interface of Ising superconductor/Néel antiferromagnet bilayers |
劉廣同 |
11:10-11:20 |
關(guān)注 |
22-I-013 |
異質(zhì)集成光電調(diào)制器與探測器 |
王俊嘉 |
11:20-11:30 |
關(guān)注 |
22-I-014 |
高純度半導體碳納米管的表面潔凈化與器件研究 |
邱松 |
11:30-11:40 |
關(guān)注 |
22-I-015 |
二維磁性半導體材料光學超表面中的自旋波-光子相互作用 |
黃雨青 |
11:40-11:50 |
關(guān)注 |
22-I-016 |
單壁碳納米管水平陣列的控制制備 |
錢柳 |
11:50-12:00 |
關(guān)注 |
第3時段 口頭報告(Oral) 112光霧廳 |
22-KN-016 |
基于CNT的PKD和VLSI設計流程開發(fā)驗證 |
蔣見花 |
13:30-13:50 |
關(guān)注 |
22-I-017 |
真空處理及柵極負偏壓應力對CNT FET電學性能與陷阱特性的影響研究 |
朱慧 |
13:50-14:00 |
關(guān)注 |
22-I-018 |
石墨烯薄膜的潔凈、無損轉(zhuǎn)移 |
林立 |
14:00-14:10 |
關(guān)注 |
22-I-019 |
結(jié)構(gòu)功能一體化烯碳纖維的控制制備及其電磁屏蔽性能研究 |
高鑫 |
14:10-14:20 |
關(guān)注 |
22-I-020 |
面向集成電路應用的單壁碳納米管制備 |
張則堯 |
14:20-14:30 |
關(guān)注 |
22-I-021 |
8英寸碳納米管陣列晶圓的研發(fā)和挑戰(zhàn) |
韓杰 |
14:30-14:40 |
關(guān)注 |
22-I-022 |
High-purity and Low-defect-density Aligned Carbon Nanotube Arrays for High-performance Electronics |
夏煜 |
14:40-14:50 |
關(guān)注 |
22-I-023 |
抗輻照碳納米管晶體管與集成電路 |
朱馬光 |
14:50-15:00 |
關(guān)注 |
22-I-024 |
碳基范德華異質(zhì)結(jié)器件及界面研究 |
敬玉梅 |
15:00-15:10 |
關(guān)注 |
22-I-025 |
碳納米管光探測器 |
王勝 |
15:10-15:20 |
關(guān)注 |
22-I-026 |
碳基紅外探測與成像技術(shù) |
王穎 |
15:20-15:30 |
關(guān)注 |
22-I-027 |
碳納米管毫米波射頻前端:賦能硅基兼容10GHz至W波段的柔性射頻系統(tǒng) |
王德甫 |
15:30-15:40 |
關(guān)注 |
第4時段 口頭報告(Oral) 112光霧廳 |
22-I-028 |
碳基-硅基三維集成電路設計 |
陳榮梅 |
15:40-15:50 |
關(guān)注 |
22-I-029 |
碳基晶體管傳感器的氮氫示蹤檢漏技術(shù) |
花中秋 |
15:50-16:00 |
關(guān)注 |
22-I-030 |
碳基噪聲測試與研發(fā)順序 |
魏楠 |
16:00-16:10 |
關(guān)注 |
22-I-031 |
CNT-Powered Energy-Efficient Computing |
司佳 |
16:10-16:20 |
關(guān)注 |
22-I-032 |
高性能n型陣列碳納米管場效應晶體管及其尺寸縮減效應 |
曹宇 |
16:20-16:30 |
關(guān)注 |
22-I-033 |
Study on intrinsic array carbon nanotubes array films for high-performance electronics based on polymer structure design |
白蘭 |
16:30-16:40 |
關(guān)注 |
22-I-034 |
碳納米管陣列的集體量子相干效應和子帶重整化研究 |
鄧小松 |
16:40-16:50 |
關(guān)注 |
22-I-035 |
碳基MOS器件的界面態(tài)研究與性能優(yōu)化 |
劉一凡 |
16:50-17:00 |
關(guān)注 |
第5時段 口頭報告(Oral) 112光霧廳 |
22-F-001 |
單片三維異質(zhì)集成的生化傳感平臺 |
高云飛 |
17:00-17:05 |
關(guān)注 |
22-F-002 |
CRISPR-Cas12a介導的基于碳納米管效應晶體管生物傳感器陣列用于大流行病的篩查 |
梁玉琪 |
17:05-17:10 |
關(guān)注 |
22-F-003 |
Shear-induced Alignment of Carbon Nanotube Arrays for Wafer-scale and High-performance Electronics |
楊尚京 |
17:10-17:15 |
關(guān)注 |
22-F-004 |
Exploring the Pixel Size Scaling Limit in Heterojunction-Gated Carbon Nanotube Phototransistors |
高勝美 |
17:15-17:20 |
關(guān)注 |
22-F-005 |
Heterojunction gate-controlled carbon nanotube short-wave infrared detector |
段宏坤 |
17:20-17:25 |
關(guān)注 |
22-F-006 |
Self-Aligned Heterojunction Gate Carbon Nanotube Phototransistors for Highly Sensitive Infrared Detection |
夏曉露 |
17:25-17:30 |
關(guān)注 |
22-F-007 |
高壓調(diào)控下任意轉(zhuǎn)角雙層MoS2超低波數(shù)拉曼研究 |
秦嘉澤 |
17:30-17:35 |
關(guān)注 |
22-F-008 |
二維高熵過渡金屬二硫化物的低溫輸運研究 |
盧帥 |
17:35-17:40 |
關(guān)注 |
22-F-009 |
碳納米管集成電路抗單粒子輻照研究 |
孫逸夫 |
17:40-17:45 |
關(guān)注 |
22-F-010 |
利用胺表面功能化的氧化硅微球高效分離金屬型/半導體型碳納米管及長/短管的方法 |
常成 |
17:45-17:50 |
關(guān)注 |
22-F-011 |
基于可降解偶氮苯共軛聚合物制備高性能潔凈碳納米管陣列 |
李子麒 |
17:50-17:55 |
關(guān)注 |
22-F-012 |
雙聚合物協(xié)同策略實現(xiàn)單手性碳納米管的高效分離與穩(wěn)定分散 |
潘登 |
17:55-18:00 |
關(guān)注 |