2025年05月10日 |
第3時(shí)段 口頭報(bào)告(Oral) 成都天府國(guó)際會(huì)議中心 張珽 |
13:30-13:35 |
20-KN-001 |
極端條件超高精度實(shí)空間/動(dòng)量空間原位譜儀 |
潘庶亨 |
13:35-13:55 |
關(guān)注 |
20-KN-002 |
重離子加速器的發(fā)展及應(yīng)用前沿 |
孫良亭 |
13:55-14:15 |
關(guān)注 |
20-KN-003 |
上海加速器光源大科學(xué)裝置 |
劉波 |
14:15-14:35 |
關(guān)注 |
20-I-001 |
面向空間科學(xué)實(shí)驗(yàn)的真空互聯(lián)系統(tǒng)設(shè)計(jì)與實(shí)踐 |
盛捷 |
14:35-14:50 |
關(guān)注 |
20-I-002 |
真空互聯(lián)平臺(tái)的建設(shè)和表面物理研究中的應(yīng)用案例 |
周桃飛 |
14:50-15:05 |
關(guān)注 |
20-I-003 |
高能激光系統(tǒng)潔凈制造技術(shù)及痕量有機(jī)物檢測(cè)研究 |
陳家軒 |
15:05-15:20 |
關(guān)注 |
15:20-15:40 |
第4時(shí)段 口頭報(bào)告(Oral) 成都天府國(guó)際會(huì)議中心 林媛 |
20-KN-004 |
Energy material research by a surface science approach |
戚亞冰 |
15:40-16:00 |
關(guān)注 |
20-KN-005 |
有機(jī)半導(dǎo)體內(nèi)的痕量氧摻雜 |
李立強(qiáng) |
16:00-16:20 |
關(guān)注 |
20-I-004 |
鋰金屬電池負(fù)極表界面材料 |
佴建威 |
16:20-16:35 |
關(guān)注 |
20-I-005 |
Interface superconductivity in the antiferromagnetic regime of CaFe2As2 |
呂衍鳳 |
16:35-16:50 |
關(guān)注 |
20-I-006 |
二硫化鉬-外延鐵電氧化鉿界面及其晶體管光電特性研究 |
牛剛 |
16:50-17:05 |
關(guān)注 |
20-I-007 |
力場(chǎng)誘導(dǎo)自支撐PbTiO3薄膜極化翻轉(zhuǎn)及其應(yīng)用研究 |
韓露 |
17:05-17:20 |
關(guān)注 |
20-I-008 |
電子束蒸鍍HZO柵介質(zhì)HEMT器件界面調(diào)控及開(kāi)關(guān)特性研究 |
郭煒 |
17:20-17:35 |
關(guān)注 |
20-I-009 |
同步輻射X射線譜學(xué)方法及其在催化反應(yīng)中的應(yīng)用 |
喬盼哲 |
17:35-17:50 |
關(guān)注 |
2025年05月11日 |
第1時(shí)段 口頭報(bào)告(Oral) 成都天府國(guó)際會(huì)議中心 崔義 |
20-KN-006 |
太陽(yáng)能合成燃料催化劑設(shè)計(jì):從催化機(jī)理到系統(tǒng)應(yīng)用驗(yàn)證 |
周瑩 |
08:30-08:50 |
關(guān)注 |
20-KN-007 |
硅基單原子量子計(jì)算芯片及量子糾錯(cuò) |
賀煜 |
08:50-09:10 |
關(guān)注 |
20-KN-008 |
原位技術(shù)用于氣固界面微觀機(jī)理研究 |
姚運(yùn)喜 |
09:10-09:30 |
關(guān)注 |
20-I-010 |
物理沉積方法制備金屬團(tuán)簇在催化領(lǐng)域的應(yīng)用及原子結(jié)構(gòu)研究 |
蔡鎔聲 |
09:30-09:45 |
關(guān)注 |
20-I-011 |
基于大科學(xué)裝置表征下電解水制氫的表界面研究 |
陳志剛 |
09:45-10:00 |
關(guān)注 |
10:00-10:15 |
第2時(shí)段 口頭報(bào)告(Oral) 成都天府國(guó)際會(huì)議中心 姚運(yùn)喜 |
20-KN-009 |
分子鐵電催化研究 |
鄒貴付 |
10:15-10:35 |
關(guān)注 |
20-KN-010 |
光催化過(guò)程表界面理化特性分析 |
姚文清 |
10:35-10:55 |
關(guān)注 |
20-I-012 |
基于超快能量色散XAS的Cr/ZnO催化劑表面氧空位的定量識(shí)別與動(dòng)態(tài)調(diào)控 |
楊成升 |
10:55-11:10 |
關(guān)注 |
20-I-013 |
同步輻射X射線譜學(xué)方法在二氧化碳還原研究中的應(yīng)用 |
梅丙寶 |
11:10-11:25 |
關(guān)注 |
20-I-014 |
Cobalt-based active phase generation during OER |
李浩 |
11:25-11:40 |
關(guān)注 |
第3時(shí)段 口頭報(bào)告(Oral) 成都天府國(guó)際會(huì)議中心 李坊森 |
20-KN-011 |
異質(zhì)結(jié)界面超導(dǎo)與高溫超導(dǎo)研究 |
馬旭村 |
13:30-13:50 |
關(guān)注 |
20-KN-012 |
黑磷界面調(diào)控生長(zhǎng)及其激子發(fā)光器件 |
張凱 |
13:50-14:10 |
關(guān)注 |
20-KN-013 |
二維金屬的制備 |
杜羅軍 |
14:10-14:30 |
關(guān)注 |
20-I-015 |
外延薄膜及異質(zhì)界面的生長(zhǎng)與超導(dǎo)調(diào)控 |
李逢苗 |
14:30-14:45 |
關(guān)注 |
20-I-016 |
低維半導(dǎo)體材料的晶相物態(tài)和電子性質(zhì)調(diào)控 |
王廣 |
14:45-15:00 |
關(guān)注 |
20-I-017 |
基于表界面調(diào)控的薄膜材料可視化原位生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué) |
魏偉 |
15:00-15:15 |
關(guān)注 |
15:15-15:30 |
第4時(shí)段 口頭報(bào)告(Oral) 成都天府國(guó)際會(huì)議中心 李含冬 |
20-KN-014 |
微型電化學(xué)能源材料與器件 |
吳忠?guī)?/td>
| 15:30-15:50 |
關(guān)注 |
20-KN-015 |
Topological Superconductivity in Planar Josephson Junctions |
任赫辰 |
15:50-16:10 |
關(guān)注 |
20-I-018 |
Scanning near-field optical microscopy study on La3Ni2O7 single crystals |
杜增義 |
16:10-16:25 |
關(guān)注 |
20-I-019 |
CoSb2 薄膜制備和表面的電荷有序態(tài)研究 |
張匯 |
16:25-16:40 |
關(guān)注 |
20-I-020 |
單層FeSe的界面和光場(chǎng)調(diào)控 |
鄒強(qiáng) |
16:40-16:55 |
關(guān)注 |
20-I-021 |
Correlation between superfluid density and transition temperature in infinite-layer nickelate superconductor |
張若舟 |
16:55-17:10 |
關(guān)注 |
20-I-022 |
二維硼化銅的生長(zhǎng)與結(jié)構(gòu)性質(zhì)表征 |
翁曉基 |
17:10-17:25 |
關(guān)注 |
2025年05月10日 |
第2時(shí)段 墻報(bào)(Poster) 成都天府國(guó)際會(huì)議中心 分會(huì)主席 |
20-P-001 |
鉬與碳化硅界面相互作用的光電子能譜研究 |
耿祥瑞 |
12:30-13:30 |
關(guān)注 |
20-P-002 |
硬X射線自由電子激光裝置-物質(zhì)電子結(jié)構(gòu)實(shí)驗(yàn)站 |
顏丙慧 |
12:30-13:30 |
關(guān)注 |
20-P-003 |
Ultra-High Vacuum Interconnection System Integrating Material Growth, Nanodevice Fabrication and Characterization |
方展伯 |
12:30-13:30 |
關(guān)注 |
20-P-004 |
上海光源02B軟X射線譜學(xué)實(shí)驗(yàn)站簡(jiǎn)介 |
李小寶 |
12:30-13:30 |
關(guān)注 |
20-P-005 |
Model Electrocatalysis of 2D MoS2/Metal System |
雷浩 |
12:30-13:30 |
關(guān)注 |
第2時(shí)段 僅提交論文(自由交流) 成都天府國(guó)際會(huì)議中心 分會(huì)主席 |
20-A-001 |
納米真空互聯(lián)綜合實(shí)驗(yàn)裝置表界面科學(xué)研究新范式 |
張珽 |
12:30-13:30 |
關(guān)注 |
20-A-002 |
真空互聯(lián)下的界面科學(xué)與能源催化 |
崔義 |
12:30-13:30 |
關(guān)注 |
20-A-003 |
真空互聯(lián)原子級(jí)制造 |
李坊森 |
12:30-13:30 |
關(guān)注 |
20-A-004 |
準(zhǔn)一維納米結(jié)構(gòu)的新奇物性的調(diào)控與研究 |
王利 |
12:30-13:30 |
關(guān)注 |
20-A-005 |
真空互聯(lián)下的芯片界面處理工藝研究 |
郭路安 |
12:30-13:30 |
關(guān)注 |
20-A-006 |
固體核磁共振和多尺度理論計(jì)算研究分子篩催化機(jī)理 |
徐舒濤 |
12:30-13:30 |
關(guān)注 |