中國化學會第一屆全國表界面科學會議
2025年5月9日-5月12日
主辦單位：中國化學會物理化學學科委員會　　承辦單位：北京大學納米器件物理與化學教育部重點實驗室
重要日期： 會前繳費優(yōu)惠期至2025年4月11日　征稿截止2025年4月11日　
第10分會：二維材料化學與器件  主席：劉碧錄、宮勇吉、劉富才
編號 論文標題 報告人 時間 操作
2025年05月10日
第2時段 口頭報告（Oral） 第十分會：都江堰廳-105B 劉碧錄
10-KN-001 二維材料：從石墨烯到MoSi2N4體系 任文才 13:30-13:50 關(guān)注
10-KN-002 二維材料光學晶體 劉開輝 13:50-14:10 關(guān)注
10-I-001 二維材料的構(gòu)筑與性質(zhì)研究 周家東 14:10-14:22 關(guān)注
10-I-002 基于液態(tài)金屬反應(yīng)體系的二維材料的精準合成 曾夢琪 14:22-14:34 關(guān)注
10-I-003 機器學習賦能的材料原子尺度顯微結(jié)構(gòu)解析 王珊珊 14:34-14:46 關(guān)注
10-I-004 大面積二維有機半導體單晶及其偏振探測與成像研究 李榮金 14:46-14:58 關(guān)注
10-O-001 新型碳結(jié)構(gòu)及碳基電化學界面研究 倪堃 14:58-15:06 關(guān)注
10-O-002 Reconfiguring nucleation for CVD growth of twisted bilayer TMDCs 許曼章 15:06-15:14 關(guān)注
10-O-003 化學氣相沉積二維材料的界面工程及其應(yīng)用研究 羅庇榮 15:14-15:22 關(guān)注
10-O-004 對稱性破缺工程引導的低維材料的設(shè)計合成與物性研究 段瑞煥 15:22-15:30 關(guān)注
第3時段 口頭報告（Oral） 第十分會：都江堰廳-105B 任文才
10-KN-003 基于對稱性工程的MXene材料磁性與光催化性質(zhì)調(diào)控 孫志梅 15:40-16:00 關(guān)注
10-KN-004 二維磁性納米材料的化學合成及其磁性調(diào)控 侯仰龍 16:00-16:20 關(guān)注
10-KN-005 面向先進制程集成電路的二維半導體材料與器件 張錚 16:20-16:40 關(guān)注
10-KN-006 范德華間隙和水插層 廖蕾 16:40-17:00 關(guān)注
10-I-005 二維二元化合物中化學計量比調(diào)制的相工程 徐曉龍 17:00-17:12 關(guān)注
10-I-006 二維鐵電材料的相變和應(yīng)用 趙炯 17:12-17:24 關(guān)注
10-I-007 新興二維半導體的材料設(shè)計、器件模擬和CVD制備 毛宇亮 17:24-17:36 關(guān)注
10-O-005 Phase-Controlled Growth of MB?T? Family Crystals 王興國 17:36-17:44 關(guān)注
10-O-006 TMDCs/TMO模型體系的CVD制備與界面調(diào)控研究 黃辰曦 17:44-17:52 關(guān)注
10-O-007 襯底粗糙度對二維材料生長形貌的影響 胡知力 17:52-18:00 關(guān)注
10-O-008 二維材料缺陷工程與等離子體傳感技術(shù)及其在生物醫(yī)學檢 柳麗軒 18:00-18:08 關(guān)注
2025年05月11日
第1時段 口頭報告（Oral） 第十分會：都江堰廳-105B 彭海琳
10-KN-007 Synthesis of 2D Ferroelectrics and Their Application in Electronics Liu Zheng 08:30-08:50 關(guān)注
10-I-008 二維材料等溫偏析生長的多尺度建模與催化襯底逆向設(shè)計 袁清紅 08:50-09:02 關(guān)注
10-I-009 P型二維半導體材料的缺陷密度調(diào)控與電學性能研究 李學飛 09:02-09:14 關(guān)注
10-I-010 基于缺陷工程的范德華存算器件調(diào)控與集成探索 李夢姣 09:14-09:26 關(guān)注
10-I-011 二維功能材料的熔體輔助制備及其物性研究 張鵬 09:26-09:38 關(guān)注
10-O-009 二維MnPS3的表面功能化用于亞阿摩爾級分子檢測和鐵電存儲 陳文駿 09:38-09:46 關(guān)注
10-O-010 含硼二維石墨炔衍生物的結(jié)構(gòu)調(diào)控和應(yīng)用研究 尹曉東 09:46-09:54 關(guān)注
第2時段 口頭報告（Oral） 第十分會：都江堰廳-105B 宮勇吉
10-KN-008 極端條件表界面序構(gòu)和新材料設(shè)計及創(chuàng)制 靳常青 10:10-10:30 關(guān)注
10-KN-009 二維鉍基半導體的創(chuàng)制與界面物理化學 彭海琳 10:30-10:50 關(guān)注
10-I-012 界面主導的二維鹵化物材料制備與物性耦合 王琳 10:50-11:02 關(guān)注
10-I-013 二硫化鉬外延生長取向、層數(shù)和堆垛調(diào)控 李濤濤 11:02-11:14 關(guān)注
10-I-014 二維晶體的對稱性調(diào)控及性能研究 耿德超 11:14-11:26 關(guān)注
10-I-015 二維材料層間修飾、離子輸運及其記憶電容特性研究 黃 磊 11:26-11:38 關(guān)注
10-O-011 Triggering Reversible Optical Transformation of Monolayer WSe2 via Photoswitchable and Cleavable Solid Azobenzene Material 李志鵬 11:38-11:46 關(guān)注
10-O-012 “單原子硫源”生長高質(zhì)量二維半導體 王經(jīng)緯 11:46-11:54 關(guān)注
10-O-013 基于分子鋪砌的二維準晶構(gòu)筑及拓展 曹瑜 11:54-12:02 關(guān)注
第3時段 口頭報告（Oral） 第十分會：都江堰廳-105B 張鵬
10-KN-010 二維半導體的界面工程與高性能神經(jīng)形態(tài)器件 劉鍇 13:30-13:50 關(guān)注
10-I-016 基于熱載流子機制的新型晶體管器件 劉馳 13:50-14:02 關(guān)注
10-I-017 二維電極化拓撲斯格明子 薛飛 14:02-14:14 關(guān)注
10-I-018 面向多功能信息存儲的二維浮柵電子器件設(shè)計 孫林鋒 14:14-14:26 關(guān)注
10-I-019 基于二硒化鈮結(jié)構(gòu)設(shè)計的超導二極管與晶體管 陳召龍 14:26-14:38 關(guān)注
10-I-020 基于離子型層狀材料的高性能神經(jīng)形態(tài)計算與器件構(gòu)筑 張榮杰 14:38-14:50 關(guān)注
10-O-014 二維硒化銦光電探測器的結(jié)構(gòu)優(yōu)化與性能提升 楊孟孟 14:50-14:58 關(guān)注
10-O-015 基于非對稱耦合誘導的二維PtTe2/WSe2異質(zhì)結(jié)可重構(gòu)雙向光電晶體管及光電邏輯電路 高偉 14:58-15:06 關(guān)注
10-O-016 二維原子層半導體/半金屬范德華異質(zhì)結(jié)低溫新奇輸運特性 武恩秀 15:06-15:14 關(guān)注
10-O-017 金屬-二維半導體接觸的界面勢壘調(diào)控 胡小會 15:14-15:22 關(guān)注
10-O-018 低維二維過渡金屬硫族化合物異質(zhì)結(jié)構(gòu)電子特性研究 唐唯卿 15:22-15:30 關(guān)注
第4時段 口頭報告（Oral） 第十分會：都江堰廳-105B 劉鍇
10-KN-011 低維半導體光電調(diào)控與集成 潘安練 15:40-16:00 關(guān)注
10-I-021 基于各向異性二維NbS3的可見-近紅外雙波段偏振光電探測器 張文靜 16:00-16:12 關(guān)注
10-I-022 二維半導體器件性能突破與應(yīng)用探索 趙昱達 16:12-16:24 關(guān)注
10-I-023 仿生二維離子傳輸調(diào)控 張振 16:24-16:36 關(guān)注
10-I-024 異質(zhì)結(jié)功能材料與器件 劉衍朋 16:36-16:48 關(guān)注
10-I-025 二硫化鉬晶體管的回滯調(diào)控 紀清清 16:48-17:00 關(guān)注
10-I-026 單層石墨烯莫爾超晶格中的電子鐵電物態(tài) 辛娜 17:00-17:12 關(guān)注
10-O-019 滑移鐵電的疇壁超滑動力學 柯昌明 17:12-17:20 關(guān)注
10-O-020 基于深度學習的二維滑移鐵電極化翻轉(zhuǎn)動力學的理論研究 何日 17:20-17:28 關(guān)注
10-O-021 基于轉(zhuǎn)角混維異質(zhì)結(jié)的多功能性偏振光探測器件的研究 葉坤 17:28-17:36 關(guān)注
10-O-022 通用電子結(jié)構(gòu)大模型的實現(xiàn)及其在多維度材料體系中的應(yīng)用 鐘陽 17:36-17:44 關(guān)注
10-O-023 La2O3基底二維石墨烯保護層的原位形成和表征 劉陽 17:44-17:52 關(guān)注
10-O-024 二維磁性材料合成及其自旋輸運性質(zhì)研究 賈志研 17:52-18:00 關(guān)注
2025年05月12日
第1時段 口頭報告（Oral） 第十分會：都江堰廳-105B 劉富才
10-I-027 二維材料鋰插層技術(shù)：制備、機理及水處理應(yīng)用 曾志遠 08:30-08:42 關(guān)注
10-I-028 On-chip electrochemical micro-cell—model studies based on 2D materials 何勇民 08:42-08:54 關(guān)注
10-I-029 石墨烯超級莫爾的可控制備和器件研究 胡俊雄 08:54-09:06 關(guān)注
10-I-030 二維電極化材料的表界面調(diào)控 周喻 09:06-09:18 關(guān)注
10-I-031 二維材料：新型光伏效應(yīng)與功能化器件 陳曉龍 09:18-09:30 關(guān)注
10-I-032 二維材料的表界面調(diào)控及其在微電子器件中的應(yīng)用 姜琳 09:30-09:42 關(guān)注
10-O-025 離子傳輸調(diào)控實現(xiàn)石墨烯基高性能電化學交流濾波電容 吳明懋 09:42-09:50 關(guān)注
10-O-026 二維鉻基體系中電聲耦合的調(diào)控及量化研究 裴勝海 09:50-09:58 關(guān)注
第2時段 口頭報告（Oral） 第十分會：都江堰廳-105B 張榮杰
10-I-033 大面積晶態(tài)聚合物均孔膜 鄭治坤 10:10-10:22 關(guān)注
10-I-034 二維材料表面范德華力及固態(tài)反潤濕理論與實驗研究 戴兆賀 10:22-10:34 關(guān)注
10-I-035 二維限域材料中的選擇性強化傳質(zhì) 周凱歌 10:34-10:46 關(guān)注
10-I-036 二維無機催化材料的有機配體修飾研究 孫軼凡 10:46-10:58 關(guān)注
10-I-037 金屬-氮-碳（M-N-C）催化劑：合成、結(jié)構(gòu)調(diào)控與能源電催化應(yīng)用 費慧龍 10:58-11:10 關(guān)注
10-I-038 晶圓級二維半導體材料及其光電集成器件 李淵 11:10-11:22 關(guān)注
10-O-027 二維垂直堆疊范德華材料界面調(diào)控及其多功能應(yīng)用 袁文玉 11:22-11:30 關(guān)注
10-O-028 基于納米通道電荷調(diào)控的二維聚合物膜單價陽離子選擇性傳輸 朱騰陽 11:30-11:38 關(guān)注
10-O-029 多手段調(diào)控新型二維鐵磁晶體Cr7Te8 高戰(zhàn)勝 11:38-11:46 關(guān)注
10-I-039 HORIBA跨平臺共定位革新技術(shù)介紹 劉姝彤 11:46-11:58 關(guān)注
2025年05月10日
第1時段 墻報（Poster） 第十分會：105B
10-P-001 Stack-Free, Horizontally Aligned Liquid-Crystalline MXene Thick Electrodes for On-Chip Micro Supercapacitors 曹舒晴 12:30-13:30 關(guān)注
10-P-002 Coherently confined single-metal-atom chains in 2D semiconductors 秦文 12:30-13:30 關(guān)注
10-P-003 低維PtSe2的可控制備及其光電性能研究 王雨欣 12:30-13:30 關(guān)注
10-P-004 不同重疊度的螺旋雙層納米石墨烯的合成 耿宇歡 12:30-13:30 關(guān)注
10-P-005 納米薄膜囚禁的熒光分子展現(xiàn)出卓越的溶液行為 翟賓賓 12:30-13:30 關(guān)注
10-P-006 低成本制備英寸級Au(111)單晶用于外延二維層狀材料 胡靜怡 12:30-13:30 關(guān)注
10-P-007 多級微孔陣列SiC@石墨烯電極及其超穩(wěn)定超級電容器應(yīng)用 姜嘉琦 12:30-13:30 關(guān)注
10-P-008 Two-step growth method of graphene on silicon carbide for Hall effect sensors: decoupling buffer layer formation from graphene growth 姜曉呈 12:30-13:30 關(guān)注
10-P-009 Resolving band edge excitons of sliding ferroelectricity in 3R-WSe2 申超鵬 12:30-13:30 關(guān)注
10-P-010 Direct Imaging of Charge Transfer in Lateral MoS2-WS2 Heterostructure 黃晴 12:30-13:30 關(guān)注
10-P-011 利用層間滑移開關(guān)開發(fā)抗疲勞鐵電體 李澤芬 12:30-13:30 關(guān)注
10-P-012 離子型范德華層狀鐵電材料中可重構(gòu)的極化翻轉(zhuǎn)動力學 梁磊 12:30-13:30 關(guān)注
10-P-013 摩爾界面內(nèi)拓撲極性紋理的觀察與調(diào)控 潘二 12:30-13:30 關(guān)注
10-P-014 Stoichiometry-engineered phase transition in a two-dimensional binary compound 黃夢婷 12:30-13:30 關(guān)注
10-P-015 Phase Modulation of 2D Semiconducting GaTe from Hexagonal to Monoclinic through Layer Thickness Control and Strain Engineering 吳新巖 12:30-13:30 關(guān)注
第1時段 僅提交論文（自由交流） 第10分會：105B
10-A-001 范德華超晶格材料 任華英 12:30-13:30 關(guān)注
10-A-002 Surface chemistry modulation of MXene for osmotic energy harvesting 蘇宜敏 12:30-13:30 關(guān)注
10-A-003 動態(tài)分配鐵電離子相構(gòu)建可刷新憶阻器 文之星 12:30-13:30 關(guān)注
10-A-004 二維材料與界面調(diào)控 宮勇吉 12:30-13:30 關(guān)注
10-A-005 高安全高比能鋰電池關(guān)鍵材料制備與性能研究 劉通 12:30-13:30 關(guān)注
10-A-006 二維材料的性質(zhì)調(diào)控及其在鋰金屬電池中的應(yīng)用 翟朋博 12:30-13:30 關(guān)注
10-A-007 非晶g-C3N4的介電調(diào)控 高彬銀 12:30-13:30 關(guān)注
10-A-008 原子級薄Bi2SeO5單晶及其衍生物的直接合成作為高κ柵極電介質(zhì) 洋育 12:30-13:30 關(guān)注
10-A-009 g-C3N4/rGO構(gòu)筑電子/離子雙連續(xù)傳導網(wǎng)絡(luò)協(xié)同調(diào)控鋰沉積 金椿喬 12:30-13:30 關(guān)注
10-A-010 二維材料在鋰電池層狀正極材料中的應(yīng)用研究 趙志坤 12:30-13:30 關(guān)注
10-A-011 二維MXene Ti3C2Tx納米片及其復合異質(zhì)結(jié) 趙飛飛 12:30-13:30 關(guān)注
10-A-012 Direct synthesis of controllable ultrathin heteroatoms-intercalated 2D layered materials 何倩倩 12:30-13:30 關(guān)注
10-A-013 二維材料構(gòu)筑鋰金屬負極表面均相人工界面層 陳乾 12:30-13:30 關(guān)注


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