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第52分會：二維材料化學(xué) 主席：彭海琳、劉政

編號	論文標(biāo)題	報告人	時間	操作
2024年06月15日
第1時段口頭報告（Oral）國際會堂:2層206 高力波，劉鍇
開幕式			08:30-08:35
52-KN-001	先進(jìn)制程集成電路二維半導(dǎo)體材料	張躍	08:35-09:05	關(guān)注
52-I-001	四六族低維半導(dǎo)體材料與偏振光探測器	魏鐘鳴	09:05-09:30	關(guān)注
52-I-002	太陽能驅(qū)動海水制氫	陽曉宇	09:30-09:55	關(guān)注
52-I-003	晶圓級二維材料范德華異質(zhì)結(jié)的可控制備	高力波	09:55-10:20	關(guān)注
休息			10:20-10:30
第2時段口頭報告（Oral）國際會堂:2層206 魏鐘鳴，周家東
52-I-004	基于梯度摻雜的二維可重構(gòu)MoTe2器件	劉鍇	10:30-10:55	關(guān)注
52-I-005	二維材料的構(gòu)筑與性質(zhì)研究	周家東	10:55-11:20	關(guān)注
52-O-001	MXene基柔性功能材料及可穿戴器件	郭榮輝	11:20-11:35	關(guān)注
52-O-002	系列四元氧化物二維材料及其光學(xué)各向異性	趙三根	11:35-11:50	關(guān)注
52-F-001	半金屬-半導(dǎo)體亞穩(wěn)相二硫化鎢的可逆相變	翟偉	11:50-11:55	關(guān)注
52-F-002	磷基二維高效阻燃材料	段尊斌	11:55-12:00	關(guān)注
2024年06月16日
第1時段口頭報告（Oral）國際會堂:2層206 劉富才，周興
52-I-006	二維鐵電半導(dǎo)體的多極化態(tài)調(diào)控	劉富才	08:30-08:55	關(guān)注
52-I-007	自插層金屬性硫化鉭的相位與組分調(diào)控及其非線性光學(xué)性質(zhì)研究	耿德超	08:55-09:20	關(guān)注
52-I-008	各向異性二維材料的控制制備和光電器件	徐華	09:20-09:45	關(guān)注
52-O-003	二維半導(dǎo)體材料大面積化學(xué)氣相合成與光電成像器件	李淵	09:45-10:00	關(guān)注
52-O-004	石墨炔sp雜化碳電子結(jié)構(gòu)調(diào)控及其電催化機(jī)制的理論研究	姚會影	10:00-10:15	關(guān)注
休息			10:15-10:25
第2時段口頭報告（Oral）國際會堂:2層206 李淵，張振
52-I-009	二維半導(dǎo)體材料的原位、高分辨表征技術(shù)與設(shè)備	謝黎明	10:25-10:50	關(guān)注
52-I-010	二維半導(dǎo)體材料與光電器件	周興	10:50-11:15	關(guān)注
52-O-005	微波輔助插層快速制備高質(zhì)量大尺寸單層Ti3C2Tx納米片	黃濤	11:15-11:30	關(guān)注
52-O-006	二維材料可控生長及物性調(diào)控	董際臣	11:30-11:45	關(guān)注
52-O-007	仿生二維離子傳輸調(diào)控	張振	11:45-12:00	關(guān)注
第3時段口頭報告（Oral）國際會堂:2層206 趙曉續(xù)，孫曉莉
52-I-011	二維材料的可控合成@液態(tài)金屬	曾夢琪	13:30-13:55	關(guān)注
52-I-012	石墨烯薄膜的潔凈、無損轉(zhuǎn)移	林立	13:55-14:20	關(guān)注
52-I-013	低維材料原子缺陷的結(jié)構(gòu)解析與可控構(gòu)筑	趙曉續(xù)	14:20-14:45	關(guān)注
52-O-008	新型二維層狀鐵性材料的設(shè)計制備及光/電性質(zhì)研究	方裕強(qiáng)	14:45-15:00	關(guān)注
52-O-009	二維合金組分調(diào)控金屬功函數(shù)及范德華異質(zhì)結(jié)能帶對準(zhǔn)研究	李佳	15:00-15:15	關(guān)注
52-O-010	超薄鐵系材料的可控合成與物性研究	周琳	15:15-15:30	關(guān)注
休息			15:30-15:40
第4時段口頭報告（Oral）國際會堂:2層206 方裕強(qiáng)，劉豐寧
52-I-014	透射電子顯微技術(shù)在低維材料中的應(yīng)用：新方法，新工具與新機(jī)遇	林君浩	15:40-16:05	關(guān)注
52-I-015	Electronics and Optoelectronics Based on 2D Tellurium	譚超良	16:05-16:30	關(guān)注
52-O-011	氧輔助化學(xué)氣相沉積法生長石墨烯的理論研究	孫曉莉	16:30-16:45	關(guān)注
52-O-012	二維鉬基化合物的結(jié)構(gòu)調(diào)控和熔鹽制備	張旭明	16:45-17:00	關(guān)注
52-O-013	原子級厚度薄膜的表面調(diào)控及多維電鏡成像研究	鄭黎明	17:00-17:15	關(guān)注
52-O-014	雙碳碳源快速掃掠式生長石墨烯的理論研究	孫秀彩	17:15-17:30	關(guān)注
52-O-015	Graphene-skinned Silicon Carbide Fibers: Ultra-new Material with Excellent High Temperature Resistance	宋雨晴	17:30-17:45	關(guān)注
52-F-003	銅襯底表面液化調(diào)控厚層石墨烯的可控制備與機(jī)制研究	劉豐寧	17:45-17:50	關(guān)注
52-F-004	高質(zhì)量二維過渡金屬氮化物的范德華外延制備	程榮	17:50-17:55	關(guān)注
52-F-005	機(jī)器學(xué)習(xí)賦能的二維三斜晶體手性堆垛結(jié)構(gòu)的識別	郝赫	17:55-18:00	關(guān)注
2024年06月17日
第3時段口頭報告（Oral）國際會堂:2層206 師恩政，辛娜
52-I-016	高κ柵介質(zhì)的直立生長及無損器件集成	吳金雄	13:30-13:55	關(guān)注
52-I-017	二維無鉛鈣鈦礦的激光行為研究	師恩政	13:55-14:20	關(guān)注
52-O-016	主族元素二元磷化物的外延生長	牛天超	14:20-14:35	關(guān)注
52-O-017	二維過渡金屬硫族化合物的精準(zhǔn)制備與量子物性調(diào)控	盧建臣	14:35-14:50	關(guān)注
52-O-018	層狀結(jié)構(gòu)銥基氧化物析氧催化劑	陳輝	14:50-15:05	關(guān)注
52-O-019	面向神經(jīng)形態(tài)機(jī)器視覺的二維感算一體器件	陳旭東	15:05-15:20	關(guān)注
52-O-020	紫磷及紫磷烯最新研究進(jìn)展	張錦英	15:20-15:35	關(guān)注
休息			15:35-15:45
第4時段口頭報告（Oral）國際會堂:2層206 牛天超，劉婷婷
52-I-018	具有二重穿插網(wǎng)絡(luò)的金屬—有機(jī)框架用于低碳烴分離	戴昉納	15:45-16:10	關(guān)注
52-I-019	基于二維材料的吸附現(xiàn)象及應(yīng)用	蘇陽	16:10-16:35	關(guān)注
52-O-021	介穩(wěn)相二維氧化物	邵琪	16:35-16:50	關(guān)注
52-O-022	高遷移率石墨烯中狄拉克等離子體的巨磁阻效應(yīng)	辛娜	16:50-17:05	關(guān)注
52-O-023	理論計算與實驗結(jié)合的新型二維材料光電子性質(zhì)研究	趙付來	17:05-17:20	關(guān)注
52-O-024	二維In2Se3薄膜的大面積可控生長及其鐵電晶體管器件	韓偉	17:20-17:35	關(guān)注
52-F-006	基于第一類五邊形拼圖圖案模擬設(shè)計二維材料penta-SrP2及其第一性原理熱力學(xué)計算	沈祎恒	17:35-17:40	關(guān)注
52-F-007	二維材料CaFe-LDH的可擴(kuò)展制備并通過不同活性位點實現(xiàn)亞砷酸鹽、鎘和鉛同時捕獲	劉婷婷	17:40-17:45	關(guān)注
52-F-008	晶圓級單層MoSi2N4和WSi2N4單晶薄膜的CVD法控制制備	孫素	17:45-17:50	關(guān)注
52-F-009	雙氮源法調(diào)控氮化硼多尺度結(jié)構(gòu)及強(qiáng)化吸附性能機(jī)制	劉峰	17:50-17:55	關(guān)注
閉幕式			17:55-18:00
第2時段墻報（Poster）國際會堂5層花城廳外圍
52-P-001	一種具有柵壓調(diào)控各向異性電導(dǎo)的新興四元半導(dǎo)體納米帶	蔣紹龍	10:00-12:00	關(guān)注
52-P-002	DFT計算預(yù)測β-CuI晶體結(jié)構(gòu)：二維雙層結(jié)構(gòu)的堆疊	楊文杰	10:00-12:00	關(guān)注
52-P-003	Robust multiferroic in interfacial modulation synthesized wafer-scale one-unit-cell of chromium sulfide	宋璐瑩	10:00-12:00	關(guān)注
52-P-004	T-VS2納米片與TiO2單晶之間晶面依賴性的界面電荷轉(zhuǎn)移	王晶晶	10:00-12:00	關(guān)注
52-P-005	二維團(tuán)簇基金屬有機(jī)材料中的室溫鐵磁性及尺寸調(diào)制的電子結(jié)構(gòu)	程靜	10:00-12:00	關(guān)注
52-P-006	CH3OH在過渡金屬襯底上生長石墨烯的理論研究	于朝杰	10:00-12:00	關(guān)注
52-P-007	范德華異質(zhì)結(jié)組裝的二維毛細(xì)管通道中的物質(zhì)傳輸	馬姣姣	10:00-12:00	關(guān)注
52-P-008	層狀離子導(dǎo)體中的非常規(guī)量子鐵電	王雪辰	10:00-12:00	關(guān)注
52-P-009	Tautomerization Makes Topological Phase Transition in Two-Dimensional Organometallic Lattices	李俊瑤	10:00-12:00	關(guān)注
52-P-010	轉(zhuǎn)角石墨烯旋轉(zhuǎn)角度對析氫反應(yīng)催化活性的理論研究	陳利芳	10:00-12:00	關(guān)注
52-P-011	高指數(shù)銅襯底上界面誘導(dǎo)的石墨烯外延生長	樓爽	10:00-12:00	關(guān)注
52-P-012	在二維手性金屬有機(jī)框架中獲得大 Rashba-Dresselhaus 自旋分裂	劉閃閃	10:00-12:00	關(guān)注
52-P-013	高介電常數(shù)二維電介質(zhì)Bi2SeO5封裝的二維材料的量子輸運研究	王璟岳	10:00-12:00	關(guān)注
52-P-014	二維高遷移率半導(dǎo)體Bi2O2Se的分子束外延生長	叢旭中	10:00-12:00	關(guān)注
52-P-015	二維鰭片/外延高κ柵介質(zhì)的三維異質(zhì)集成及二維鰭式晶體管	譚聰偉	10:00-12:00	關(guān)注
52-P-016	石墨烯“三明治”封裝制備冷凍電鏡樣品	高嘯寅	10:00-12:00	關(guān)注
52-P-017	超高穩(wěn)定性的導(dǎo)電鑭系金屬有機(jī)框架	王聰	10:00-12:00	關(guān)注
52-P-018	卷對卷方法制備米級Cu(111)單晶	宋曉峰	10:00-12:00	關(guān)注
52-P-019	自組裝單分子層實現(xiàn)二維材料在氣-液界面穩(wěn)定自支撐存在	趙效樂	10:00-12:00	關(guān)注
52-P-020	藍(lán)寶石襯底臺階誘導(dǎo)生長Bi2O2Se納米線平行陣列	薛騁遠(yuǎn)	10:00-12:00	關(guān)注
52-P-021	(111)鄰位面單晶銅襯底上高平整石墨烯的外延生長	吳承錦	10:00-12:00	關(guān)注
52-P-022	O2退火優(yōu)化CVD生長的單層WSe2晶體管電學(xué)性能	孫蕾	10:00-12:00	關(guān)注
52-P-023	扭轉(zhuǎn)雙層石墨烯的控制生長及集成光探測器件	武欽慈	10:00-12:00	關(guān)注
52-P-024	Pd輔助石墨烯轉(zhuǎn)移構(gòu)筑高效氫同位素分離膜	郭奕婕	10:00-12:00	關(guān)注
52-P-025	二維過渡金屬硫族化合物缺陷制備與物性研究	牛萌萌	10:00-12:00	關(guān)注
52-P-026	Phosphorus Chains and Pentamers: The Precursors of Blue Phosphorene on the Ag(111) Substrate	殷玉玲	10:00-12:00	關(guān)注
52-P-027	二硫化鎢薄膜材料的納米復(fù)合化及其宏觀超潤滑	何軍	10:00-12:00	關(guān)注
52-P-028	基于氧空位修飾Bi4O5I2光電化學(xué)型光探測器的構(gòu)筑及性能研究	趙國曉	10:00-12:00	關(guān)注
52-P-029	用于綠色屏蔽的高吸收纖維素/MXene多孔復(fù)合氣凝膠	武瑞清	10:00-12:00	關(guān)注